Triode/MOS tube/transistor/module
भाग संख्या
NCE (Wuxi New Clean Energy)
निर्माताओं
P-channel, -30V, -25A, 9mΩ@-10V
विवरण
86772 PCS
स्टॉक में
भाग संख्या
KEC
निर्माताओं
PNP, Vceo=-30V, Ic=-800mA, hfe=150~300
विवरण
83723 PCS
स्टॉक में
भाग संख्या
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
निर्माताओं
Transistor type: PNP Collector-emitter breakdown voltage (Vceo): 25V Collector current (Ic): 1.5A Power (Pd): 500mW Collector cut-off current (Icbo): 100nA Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat )@Ic,Ib): 500mV@800mA, 80mA DC current gain (hFE@Ic,Vce): 400@100mA, 1V Characteristic frequency (fT): 100MHz
विवरण
53721 PCS
स्टॉक में
भाग संख्या
MASPOWER
निर्माताओं
Drain-source voltage (Vdss): 650V Continuous drain current (Id): 38A MOS tube
विवरण
54910 PCS
स्टॉक में
भाग संख्या
KEC
निर्माताओं
N-channel, 600V, 12A, 600mΩ@10V
विवरण
51753 PCS
स्टॉक में
