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ALD212904PAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

भाग संख्या

ALD212904PAL

निर्माता/ब्रांड

Advanced Linear Devices Inc.

शृंखला

EPAD®, Zero Threshold™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

8-DIP (0.300", 7.62mm)

शक्ति - अधिकतम

500mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-PDIP

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

10.6V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

80mA

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

20mV @ 10µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

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