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CBR1F-D100

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A 4DIP

भाग संख्या

CBR1F-D100

निर्माता/ब्रांड

Central Semiconductor Corp

भाग स्थिति

Obsolete

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-65°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-EDIP (0.300", 7.62mm)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

4-DIP

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

1kV

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.3V @ 1A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 1kV

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