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DMN2400UFB4-7

MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4

भाग संख्या

DMN2400UFB4-7

निर्माता/ब्रांड

Diodes Incorporated

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

3-XFDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

X2-DFN1006-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

470mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

750mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

550 mOhm @ 600mA, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

900mV @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

0.5nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

36pF @ 16V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±12V

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