DMN3135LVT-7
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
भाग संख्या
DMN3135LVT-7
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
शक्ति - अधिकतम
840mW
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TSOT-26
एफईटी प्रकार
2 N-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा
Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
3.5A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
60 mOhm @ 3.1A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
4.1nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
305pF @ 15V
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