DMP21D5UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
भाग संख्या
DMP21D5UFB4-7B
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
3-XFDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
X2-DFN1006-3
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
460mW (Ta)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
700mA (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
970 mOhm @ 100mA, 5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
500nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
46.1pF @ 10V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
1.2V, 5V
वीजीएस (अधिकतम)
±8V
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