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ZXMC4559DN8TC

MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

भाग संख्या

ZXMC4559DN8TC

निर्माता/ब्रांड

Diodes Incorporated

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

शक्ति - अधिकतम

2.1W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-SO

एफईटी प्रकार

N and P-Channel

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.6A, 2.6A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

55 mOhm @ 4.5A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA (Min)

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

20.4nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1063pF @ 30V

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