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GBPC3502T

DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-T/W

भाग संख्या

GBPC3502T

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

QC Terminal

पैकेज/केस

4-Square, GBPC-T

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

GBPC-T

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

200V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

35A

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.1V @ 12.5A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 200V

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