खरीदें GeneSiC Semiconductor GBPC5006T DIODE BRIDGE 600V 50A GBPC-T/W

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

अधिक जानकारी देखें DataSheets

GBPC5006T

DIODE BRIDGE 600V 50A GBPC-T/W

भाग संख्या

GBPC5006T

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

QC Terminal

पैकेज/केस

4-Square, GBPC

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

GBPC

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

600V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

50A

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.2V @ 25A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 600V

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 33784 PCS

संपर्क जानकारी

संबंधित उत्पाद

GBPC1005-E4/51

DIODE GPP 1PH 3A 50V GBPC1