खरीदें GeneSiC Semiconductor GBU8D DIODE BRIDGE 200V 8A GBU

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

DataSheets

GBU8D

DIODE BRIDGE 200V 8A GBU

भाग संख्या

GBU8D

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-SIP, GBU

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

GBU

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

200V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.1V @ 8A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 200V

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 18195 PCS

संपर्क जानकारी