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KBU8D

DIODE BRIDGE 200V 8A KBU

भाग संख्या

KBU8D

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-SIP, KBU

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

KBU

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

200V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1V @ 8A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 200V

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