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MUR2X120A10

DIODE GEN PURP 1KV 120A SOT227

भाग संख्या

MUR2X120A10

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

SOT-227-4, miniBLOC

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-227

डायोड प्रकार

Standard

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

2.35V @ 120A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

25µA @ 1000V

डायोड विन्यास

2 Independent

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

1000V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

120A

रफ़्तार

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 175°C

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