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GD25LQ16C8IGR

NOR FLASH

भाग संख्या

GD25LQ16C8IGR

निर्माता/ब्रांड

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

FLASH - NOR

परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

वोल्टेज आपूर्ति

1.65 V ~ 2.1 V

मेमोरी प्रकार

Non-Volatile

मेमोरी का आकार

16Mb (2M x 8)

घड़ी की आवृत्ति

104MHz

मेमोरी प्रारूप

Flash

चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ

50µs, 2.4ms

मेमोरी इंटरफ़ेस

SPI - Quad I/O

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