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IPD95R2K0P7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 4A TO252

भाग संख्या

IPD95R2K0P7ATMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

CoolMOS™ P7

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TO252-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

37W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

950V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

2 Ohm @ 1.7A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.5V @ 80µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

330pF @ 400V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

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