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IPG20N06S4L14ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

भाग संख्या

IPG20N06S4L14ATMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

भाग स्थिति

Discontinued at Digi-Key

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerVDFN

शक्ति - अधिकतम

50W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TDSON-8-4

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

20A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

13.7 mOhm @ 17A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.2V @ 20µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

39nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2890pF @ 25V

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