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IRF7309TRPBF

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC

भाग संख्या

IRF7309TRPBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

शक्ति - अधिकतम

1.4W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-SO

एफईटी प्रकार

N and P-Channel

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4A, 3A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

50 mOhm @ 2.4A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

25nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

520pF @ 15V

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