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IRFR3710ZTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

भाग संख्या

IRFR3710ZTRLPBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D-Pak

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

140W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

42A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

18 mOhm @ 33A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

100nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2930pF @ 25V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

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