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IRFS7430PBF

MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK

भाग संख्या

IRFS7430PBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

HEXFET®, StrongIRFET™

भाग स्थिति

Discontinued at Digi-Key

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D2PAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

375W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

195A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

1.2 mOhm @ 100A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.9V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

460nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

14240pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

6V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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