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IRS2607DSTRPBF

IC DVR MOSFET/IGBT N-CH 8-SOIC

भाग संख्या

IRS2607DSTRPBF

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

निवेष का प्रकार

Non-Inverting

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-SOIC

वोल्टेज आपूर्ति

10 V ~ 20 V

चैनल प्रकार

Independent

प्रेरित विन्यास

Half-Bridge

ड्राइवरों की संख्या

गेट का प्रकार

IGBT, N-Channel MOSFET

लॉजिक वोल्टेज - वीआईएल, वीआईएच

0.8V, 2.2V

वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)

200mA, 350mA

हाई साइड वोल्टेज - अधिकतम (बूटस्ट्रैप)

600V

उत्थान/पतन का समय (प्रकार)

150ns, 50ns

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