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SPP17N80C3XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB

भाग संख्या

SPP17N80C3XKSA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

CoolMOS™

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-TO220-3-1

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

208W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

800V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

17A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

290 mOhm @ 11A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.9V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

177nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2320pF @ 25V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

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