खरीदें Microsemi Corporation APTGT100DA120D1G IGBT 1200V 150A 520W D1

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APTGT100DA120D1G

IGBT 1200V 150A 520W D1

भाग संख्या

APTGT100DA120D1G

निर्माता/ब्रांड

Microsemi Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

परिचालन तापमान

-40°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

शक्ति - अधिकतम

520W

विन्यास

Single

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

150A

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

1200V

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

3mA

आईजीबीटी प्रकार

Trench Field Stop

Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

इनपुट कैपेसिटेंस (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

इनपुट

Standard

एनटीसी थर्मिस्टर

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