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BUK956R1-100E,127

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

भाग संख्या

BUK956R1-100E,127

निर्माता/ब्रांड

NXP USA Inc.

शृंखला

TrenchMOS™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220AB

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

349W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

120A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.9 mOhm @ 25A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.1V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

133nC @ 5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

17460pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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