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PHB119NQ06T,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

भाग संख्या

PHB119NQ06T,118

निर्माता/ब्रांड

NXP USA Inc.

शृंखला

TrenchMOS™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D2PAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

200W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

55V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

75A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

7.1 mOhm @ 25A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

53nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2820pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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