खरीदें NXP USA Inc. PHB23NQ10LT,118 MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

अधिक जानकारी देखें DataSheets

PHB23NQ10LT,118

MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK

भाग संख्या

PHB23NQ10LT,118

निर्माता/ब्रांड

NXP USA Inc.

शृंखला

TrenchMOS™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D2PAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

98W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

23A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

72 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

49nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1704pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±15V

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 24072 PCS

संपर्क जानकारी

संबंधित उत्पाद

PHB20N06T,118

MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK