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2SK4150TZ-E

MOSFET N-CH 250V 0.4A TO-92

भाग संख्या

2SK4150TZ-E

निर्माता/ब्रांड

Renesas Electronics America

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-92

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

750mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

250V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

400mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.7 Ohm @ 200mA, 4V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

3.7nC @ 4V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

80pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V, 4V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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