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RJK03M5DNS-00#J5

MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

भाग संख्या

RJK03M5DNS-00#J5

निर्माता/ब्रांड

Renesas Electronics America

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerWDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-HWSON (3.3x3.3)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

15W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

25A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

6.3 mOhm @ 12.5A, 10V

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10.4nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1890pF @ 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

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