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RB088BGE150TL

SCHOTTKY BARRIER DIODE

भाग संख्या

RB088BGE150TL

निर्माता/ब्रांड

Rohm Semiconductor

भाग स्थिति

Active

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-252GE

डायोड प्रकार

Schottky

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

880mV @ 5A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

15µA @ 150V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

150V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

10A

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

150°C (Max)

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