GP2S60B
PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3
भाग संख्या
GP2S60B
निर्माता/ब्रांड
भाग स्थिति
Active
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
4-SMD, No Lead
उत्पादन का प्रकार
Phototransistor
प्रतिक्रिया समय
20µs, 20µs
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)
20mA
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)
35V
संवेदन विधि
Reflective
वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम)
50mA
दूरी का एहसास
0.028" (0.7mm)
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