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TSM120N10PQ56 RLG

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

भाग संख्या

TSM120N10PQ56 RLG

निर्माता/ब्रांड

Taiwan Semiconductor Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerTDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-PDFN (5x6)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

36W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

58A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

12 mOhm @ 30A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

145nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3902pF @ 30V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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