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TSM1N45CW RPG

MOSFET N-CH 450V 500MA SOT223

भाग संख्या

TSM1N45CW RPG

निर्माता/ब्रांड

Taiwan Semiconductor Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-261-4, TO-261AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-223

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

2W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

450V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

500mA (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

4.25 Ohm @ 250mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4.25V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

6.5nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

235pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

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