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TSM1NB60SCT A3G

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

भाग संख्या

TSM1NB60SCT A3G

निर्माता/ब्रांड

Taiwan Semiconductor Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Last Time Buy

पैकेजिंग

Tape & Box (TB)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-92

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

2.5W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

600V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

500mA (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

10 Ohm @ 250mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

6.1nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

138pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

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