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CSD87350Q5D

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

भाग संख्या

CSD87350Q5D

निर्माता/ब्रांड

Texas Instruments

शृंखला

NexFET™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerLDFN

शक्ति - अधिकतम

12W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-LSON (5x6)

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.9 mOhm @ 20A, 8V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10.9nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1770pF @ 15V

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