खरीदें Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HTAI0 IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

अधिक जानकारी देखें DataSheets

TC58BVG2S0HTAI0

IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP

भाग संख्या

TC58BVG2S0HTAI0

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Memory America, Inc.

शृंखला

Benand™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tray

तकनीकी

FLASH - NAND (SLC)

परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

48-TSOP I

वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V

मेमोरी प्रकार

Non-Volatile

मेमोरी का आकार

4Gb (512M x 8)

पहूंच समय

25ns

घड़ी की आवृत्ति

मेमोरी प्रारूप

Flash

चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ

25ns

मेमोरी इंटरफ़ेस

Parallel

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 22892 PCS

संपर्क जानकारी