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2SA965-O,F(J

TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

भाग संख्या

2SA965-O,F(J

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Bulk

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

शक्ति - अधिकतम

900mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

LSTM

ट्रांजिस्टर प्रकार

PNP

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

800mA

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

120V

वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

1V @ 50mA, 500mA

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

100nA (ICBO)

डीसी करंट गेन (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई

80 @ 100mA, 5V

आवृत्ति - संक्रमण

120MHz

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