खरीदें Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113TU,LF RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

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MT3S113TU,LF

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

भाग संख्या

MT3S113TU,LF

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

3-SMD, Flat Leads

शक्ति - अधिकतम

900mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

UFM

ट्रांजिस्टर प्रकार

NPN

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

100mA

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

5.3V

डीसी करंट गेन (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई

200 @ 30mA, 5V

आवृत्ति - संक्रमण

11.2GHz

शोर चित्र (डीबी प्रकार @ एफ)

1.45dB @ 1GHz

पाना

12.5dB

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