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SSM3J134TU,LF

SMALL PCH LOW ON RESISTANCE MOSF

भाग संख्या

SSM3J134TU,LF

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSVI

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

3-SMD, Flat Leads

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

UFM

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

500mW (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.2A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

93 mOhm @ 1.5A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4.7nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

290pF @ 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.5V, 4.5V

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