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SSM3K36MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 500MA VESM

भाग संख्या

SSM3K36MFV,L3F

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSIII

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOT-723

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

VESM

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

150mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

500mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

630 mOhm @ 200mA, 5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

1.23nC @ 4V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

46pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.5V, 5V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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