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SSM6J502NU,LF

SSM6J502NU,LF

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
भाग संख्या
SSM6J502NU,LF
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
U-MOSVI
भाग स्थिति
Active
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
6-WDFN Exposed Pad
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
6-UDFNB (2x2)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
1W (Ta)
एफईटी प्रकार
P-Channel
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
6A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
23.1 mOhm @ 4A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
24.8nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1800pF @ 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±8V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
1.5V, 4.5V
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