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SSM6N48FU,RF(D

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A

भाग संख्या

SSM6N48FU,RF(D

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

शक्ति - अधिकतम

300mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

US6

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate, 2.5V Drive

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

3.2 Ohm @ 10mA, 4V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.5V @ 100µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

15.1pF @ 3V

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