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SSM6N57NU,LF

MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6

भाग संख्या

SSM6N57NU,LF

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-WDFN Exposed Pad

शक्ति - अधिकतम

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-µDFN(2x2)

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

46 mOhm @ 2A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

310pF @ 10V

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