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TK12E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-220
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
165W (Tc)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
800V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
11.5A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
450 mOhm @ 5.8A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
4V @ 570µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
23nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1400pF @ 300V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
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