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GBL04-E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBL

भाग संख्या

GBL04-E3/51

निर्माता/ब्रांड

Vishay Semiconductor Diodes Division

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-SIP, GBL

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

GBL

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

400V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.1V @ 4A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 400V

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