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GBU4DL-6419E3/51

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBU

भाग संख्या

GBU4DL-6419E3/51

निर्माता/ब्रांड

Vishay Semiconductor Diodes Division

भाग स्थिति

Last Time Buy

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-SIP, GBU

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

GBU

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

200V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1V @ 4A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 200V

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