खरीदें Vishay Semiconductor Diodes Division GSIB660L-5700E3/45 BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S

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GSIB660L-5700E3/45

BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S

भाग संख्या

GSIB660L-5700E3/45

निर्माता/ब्रांड

Vishay Semiconductor Diodes Division

भाग स्थिति

Last Time Buy

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-SIP, GSIB-5S

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

GSIB-5S

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

600V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

2.8A

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

950mV @ 3A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 600V

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