खरीदें Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP60N IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

अधिक जानकारी देखें DataSheets

VS-GT100TP60N

IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

भाग संख्या

VS-GT100TP60N

निर्माता/ब्रांड

Vishay Semiconductor Diodes Division

शृंखला

भाग स्थिति

Active

परिचालन तापमान

175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

INT-A-PAK (3 + 4)

शक्ति - अधिकतम

417W

विन्यास

Half Bridge

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

INT-A-PAK

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

160A

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

600V

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

5mA

आईजीबीटी प्रकार

Trench

Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

इनपुट कैपेसिटेंस (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

इनपुट

Standard

एनटीसी थर्मिस्टर

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 39870 PCS

संपर्क जानकारी