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VS-GT400TH120N

IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

भाग संख्या

VS-GT400TH120N

निर्माता/ब्रांड

Vishay Semiconductor Diodes Division

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

Double INT-A-PAK (3 + 8)

शक्ति - अधिकतम

2119W

विन्यास

Half Bridge

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Double INT-A-PAK

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

600A

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

1200V

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

5mA

आईजीबीटी प्रकार

Trench

Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

इनपुट कैपेसिटेंस (Cies) @ Vce

28.8nF @ 25V

इनपुट

Standard

एनटीसी थर्मिस्टर

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