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IRLL110TRPBF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

भाग संख्या

IRLL110TRPBF

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-261-4, TO-261AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-223

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

1.5A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

540 mOhm @ 900mA, 5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

6.1nC @ 5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

250pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4V, 5V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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