खरीदें Vishay Siliconix SI2392ADS-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

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SI2392ADS-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

भाग संख्या

SI2392ADS-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-23-3 (TO-236)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.1A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

126 mOhm @ 2A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

10.4nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

196pF @ 50V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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