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SI3424CDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
भाग संख्या
SI3424CDV-T1-GE3
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
6-TSOP
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
3.6W (Tc)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
8A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
26 mOhm @ 7.2A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
12.5nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
405pF @ 15V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
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