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SI4532ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

भाग संख्या

SI4532ADY-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Digi-Reel®

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

शक्ति - अधिकतम

1.13W, 1.2W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

एफईटी प्रकार

N and P-Channel

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.7A, 3A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

53 mOhm @ 4.9A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

16nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

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